Микросхема NSI1200-DSWVR (изолированный усилитель)

Минимальный заказ от 1000 шт.
По запросу
Добавить в корзину Документация

Микросхема NSI1200-DSWVR (усилитель с цифровой изоляцией)

  • Напряжение изоляции: до 5000 Vrms
  • Диапазон линейного входного напряжения: ±250мВ
  • Фиксированный коэффициент усиления: 8
  • Малая погрешность смещения и низкий температурный дрейф: ±0,5мВ (макс.), -4~4μВ/°C (макс.)
  • Низкая ошибка коэффициента усиления и температурного дрейфа: ±0.3％(макс.), ±50ppm /°C (макс.)
  • Низкая нелинейность и температурный дрейф: ±0.03％ (макс.), ±1ppm /°C (тип.)
  • Отношение сигнал шум: 86дБ (тип., ПП=10кГц), 72дБ (тип., ПП=100кГц)
  • Полоса пропускания: 100 кГц (тип.)
  • CMTI: 150kV/us (тип.)
  • Рабочая температура: -40⁰C~125⁰C
  • Корпус: SOP8 (возможно исполнение в корпусе DUB8, см. даташит)