Микросхема NSI1312x-DSPR (изолированный усилитель)

Минимальный заказ от 2500 шт.
По запросу
Добавить в корзину Документация

Микросхема NSI1312x-DSPR (усилитель с цифровой изоляцией)

  • Напряжение изоляции: до 5000 Vrms (корпус SOW8), до 3000 Vrms (корпус SOP8)
  • Диапазон входного напряжения: ±1,2В
  • Фиксированный коэффициент усиления: 1
  • Малая погрешность смещения и низкий температурный дрейф: ±5мВ (макс.), ±20μВ/°C (тип.)
  • Низкая ошибка коэффициента усиления и температурного дрейфа: ±1％(макс.), ±30ppm /°C (тип.)
  • Низкая нелинейность и температурный дрейф: ±0,3％ (макс.), ±10ppm /°C (тип.)
  • Отношение сигнал шум: 78дБ (тип., ПП=50кГц)
  • Полоса пропускания: 100 кГц (тип.)
  • CMTI: 150kV/us (тип.)
  • Рабочая температура: -40⁰C~125⁰C
  • Корпус: SOP8 (возможно исполнение в корпусе SOW8, см. даташит)